Eurofins MASER – Fouten Analyse
Wij bieden een brede selectie aan verschillende Fouten Analyse (FA) technieken aan verschillende klanten binnen de elektronische sector. Voor een succesvolle FA is een goede combinatie van goede apparatuur en vakkundig personeel essentieel. Door de jaren heen hebben wij onze apparatuur voortdurend uitgebreid om met de moderne technologische ontwikkelingen mee te gaan. Daarnaast is ons personeel hierin ook mee gegroeid, zowel in kennis, vaardigheden als in omvang. Het hebben van deze mogelijkheid in een gecentraliseerd laboratorium is uniek in Europa. Ons uitgebreide aanbod en snelle doorloop tijden worden zeer gewaardeerd door onze klanten. Zie onderstaand een volledig overzicht van onze mogelijkheden.
Non Destructive Analysis
- (3D) Optische Microscopie
- X-ray Analyse (2D & 3D)
- Scanning Acoustic Microscopy (SAM)
- (3D) Lock-in Thermography (LIT)
Construction Analysis
- Kennis van de eisen voor de ESCC, PEM-NST en MIL standaarden
- Nieuwste apparatuur beschikbaar
- Volledig rapport op aanvraag
- Conformiteitscertificaat op aanvraag
FIB Circuit Edit
- Decapsulation and re-encapsulation
- GDS gebaseerde navigatie
- Front & backside edits
- Low resistance metal deposition
- Insulator deposition
- Ondersteuning voor alle IC processen
IPC inspection
- Optische Microscopie om het PCBA oppervlak te controleren
- X-ray Analyse
- Mechanische dwarsdoorsnede door nauwkeurig zagen/slijpen en polijsten
- SEM inspectie en EDX materiaal analyse
- Een uitgebreid rapport met alle bevindingen
Advanced Failure Analysis
- Curve tracing - meten van de I/V-curven
- Decapsulation – verwijderen van de verpakking om toegang te krijgen tot het chip oppervlak
- Conventionele dwarsdoorsnede – ingieten en polijsten om het interessegebied te bereiken
- De-layering – laag voor laag verwijderen door fijn polijsten of etsen om het interessegebied te bereiken
- Micro-probing – metingen van spanning op de chip
- Optische Microscopie – gebruik maken van licht om foto’s te maken met een vergroting van 1000x
- Scanning Electron Microscopy (SEM) – gebruik van gerichte elektronen voor beeld- en analysedoeleinden
- Emissie Microscopie – lokaliseren van uitgezonden fotonen op halfgeleiders
- Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCH)- lokaliseren van weerstandsveranderingen als gevolg van verwarming met een scannende laser
- Lock-in thermography (LIT) – lokaliseren van hotspots op halfgeleiders of op modules
- Atomic Force Microscopy (AFM) – lekkagemetingen door oppervlakte scans
- Focused Ion Beam Cross Sectioning – gebruik van ionen om material nauwkerig te vewijderen
Mocht u (aan)vragen hebben neem dan gerust contact op met sales@maser.nl of neem een kijkje op onze website voor meer informatie (https://www.maserengineering.eu/).
